Leistungsbrücke: "Monster MK II"

Als die CPU feststand habe ich erst einmal überlegt, wie ich eine deutlich leistungsfähigere Brücke, als die des TDC bauen kann.

Die Schlüsselerkenntnis aus dem TDC ist für mich: Leiterbahnen haben einen NICHT zu vernachlässigenden Widerstand :).

Aber mehr als 70µm Kupferauflage ist für Einzelstücke quasi nicht zu bezahlen, bzw. will ich nicht allein für die unbestückte Platine 500€ ausgeben. Deshalb musste eine einfache Platine mit 4 Lagen a 70µm Kupfer reichen. Wirklich Strom bekommt man da aber nur mit mehr Fläche durch. Oder ....

Leiterquerschnitt erhöhen

Bei günstiger Leistungselektronik sieht man immer wieder aufgelötete massive Kupferdrähte, die den leitenden Querschnitt einer Leiterbahn erhöhen sollen. Aber dafür muss ich viele Kupferdrähte ziehen, zuschneiden und auflöten was ziemlich fummelig ist und dafür bringt es immer noch zu wenig Querschnitt. Da hilft nur richtig massives Material. Deshalb habe ich mir 6x3mm Flachkupfer Stäbe auf ebay bestellt. Die kann ich hochkant auf die Platine löten und komme so auf mehr als 18mm² Querschnitt (es kommt ja noch die Bahn darunter mit dazu). Nach VDE Norm kann ein 16mm² Leiter frei in der Luft verlegt 98A bei einer Umgebungstemperatur von 30° ab.

Ich bin gespannt wie sich die Temperatur bei meinem Aufbau verhlt. Aber da die Flachkupferstangen stehend verlötet sind bilden sie quasi "Kühlrippen" und ich erhoffe mir jetzt einfach mal, dass das etwas bringt 😉.

Die FETs

Da mache ich keine großen Experimente. Ich bleibe bei SO-8 ähnlichen Gehäusen nur braucht es bei dem Strom ein paar mehr. Meine Wahl fiel auf die TPW4R50ANH. 

Absolute Maximum Ratings

Characteristics	Symbol	Rating	Unit
Drain current	ID	92	A
Power Dissipation	PD	142	W
Drain-Source voltage	VDSS	100	V
Gate-Source voltage	VGSS	+/-20	V

Electrical Characteristics

Characteristics	Symbol	Condition	Value	Unit
Input capacitance (Typ.)	Ciss	-	4000	pF
Total gate charge (Typ.)	Qg	-	58	nC
Drain-Source on-resistance (Max)	RDS(ON)	|VGS|=10V	0.0045	Ω

Mit einer Spannungsfestigkeit bis 100V ist dann auch gleich der Spannungsbereich fix. Für 18 - 20S (72V) sollten diese FETs hobbytaublich Dimensioniert sein. 60V Batteriespannung sollten aber sicher problemlos möglich sein. 

Außerdem war für mich das DSOP-Gehäuse der FETs ein wichtiges Auswahlkriterium. Denn das Gehäuse führt den Source Kontakt an der Gehäuseoberseite flächig nach außen.

Toshiba nennt das dann "double sided cooling". Das Prinzip ist aber ähnlich wie bei den Directfets von Infineon/IR.

Nur kosten die 1/3 von dem was ein vergleichbarer Directfet kostet. 

Die Frage ist jetzt noch wie viele von den FETs schaltet man parallel. Antwort: Soviele wie möglich 😁

Leider gibt es Grenzen. Damit die FETs in den Genuss von doppelseitiger Kühlung kommen, müssen alle auf die selbe Platinenseite. Sonst würden sich die FETs gegenseitig erwärmen. Denn die Lötseite des DSOP-Gehäuses ist immer noch, die mit dem besten Wärmewiderstand. Wenn jetzt aber alle FETs auf eine Seite kommen, darf auf der Seite auch kein höheres Bauteil bestückt werden, wenn ich einen unbearbeiteten Kühlkörper verwenden will. Da ist dann 0402 angesagt. (Die FETs sind 0,8mm hoch, 0402 ist 0,5mm hoch)

Ausgehend vom TDC der mit 2 ungekühlten FETs ca. 20A dauerhaft fahren kann und ich auf 100A kommen will brauche ich schlanke 10 FETs in parallel...puhhh. Aber die Kühlung ist ja besser 😉

macht also 8 FETs. Außerdem klingt 48 auch besser als 60 FETs. Das macht dann lumpige 464nC Total Gate Charge insgesamt. Eigentlich kein schlechter Wert. 2 Dicke D²-PAK-7 FETs haben mehr.

Der Gate-Treiber

Eigentlich wollte ich meinen Feld, Wald und Wiesen Treiber den IR2186 nehmen, doch dann hatte ich kurzzeitig die Schnapsidee einen isolierten Gatetreiber zu verwenden. Da ich dafür 4 separate isolierte 12V DC/DC Wandler bräuchte fällt das gleich flach. Aber beim recherchieren nach isolierten Treibern ist mir ein Kennwert aufgefallen, der bei unisolierten Treiber quasi nicht erwähnt wird. Die Propagation Time, also die Zeit zwischen logischem Eingang auf High und dem High am Ausgang des Treibers. Und da ist der Steinzeit IR2186 auf dem Niveau eines normalen isolierten Treibers. Der braucht dafür 170ns!!! Folglich habe ich mich mal auf die Suche nach einem neuen Treiber begeben und ich bin bei TI fündig geworden. Der LM5101A hat einen Propagation Delay von nur 25ns und ist auch noch in fast allen anderen Werten besser. Einziger Haken ist er kann nur 100V ab. Was mich aber nicht stört, mehr können die FETs auch nicht. 

Die Strommessung

Wenn ich die Leitfähigkeit der Bahnen erhöhe dann muss ich mir auch die Strommessung als solches vornehmen. Aber meine aktuelle Lieblingstechnologie bietet auch hier Linderung. Der AMC1304M05 hat einen Eingangsspannungsbereich von +/-50mV bei einem SNR von 80dB typisch.

(20dB  entsprechen Faktor 10, da dB eine logarithmische Einheit ist bedeutet eine Addition von 20dB + 20dB = 40dB  = 10x10 = 100, bei 80dB SNR ergibt sich ein Signal zu Rauschabstand von 1 zu 10000, 20dB x 4 => 4 Nullen hinter der 1) 

Er löst also auf ca. 5µV effektiv auf 😎. Als Shunt passt da wunderbar der WSLP5931 von Vishay mit 0,3mR. Damit bin ich bei einer absoluten Messbereichsgrenze von 216A und einer linearen Messung von +/-166A. Außerdem kann der AMC1304M05 über die Bootstrap Spannung der High Side FETs versorgt werden, den er hat einen internen LDO. Leider merkt man dass auch am Gehäuse Wide Body SOIC-16. 

Das Board

KiCAD Daten: https://bitbucket.org/thunderdrive/power_bridge